Конфигурация - Half-Bridge
Тип управляемого затвора - IGBT, N-CH MOSFET
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс - 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс - 20
Тип канала - независимый
Кол-во каналов - 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А - 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А - 2.3
Напряжение питания, В - 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В - 2.7
Тип входа - неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В - 600
Корпус - SOIC-8(0.154 inch)
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)