Новые транзисторы , цена договорная .
Характеристики транзистора MJE1103

Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
Корпус: TO-127