Транзистор КТ835Б кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный.

Предназначен для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Характеристики транзистора КТ835Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7500 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-100
Обратный ток коллектора =150 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>1 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора 0.35 дБ

Аналог транзистора КТ835Б - 2N6011