Продам

Транзисторы:

КТ 808 ГМ – 3 шт. (рабочие) - Цена 70 грн за один

КТ 812 А – 3 шт. (рабочие) - Цена 90 грн за один

КТ 812 Б – 3 шт. (рабочие, на двух немного вогнуты крышки, фото 4) - Цена 70 грн за один

КТ 827 Б – 8 шт. (рабочие) - Цена 90 грн за один

КТ 828 Б – 1 шт. (рабочий, немного вогнута крышка, видно на фото 6) - Цена 70 грн за один

КТ 839 А - 2 шт. (рабочие) - Цена 215 грн за один

1Т 906 А - 2 шт. (рабочие) - Цена 70 грн за один

Диодный столб - Д1007 - 1 шт. - Цена 80 грн

Характеристики:
Широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах. Используются в ключевых и линейных схемах. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.

Транзистор КТ 808 ГМ:
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Транзистор КТ 812 А:
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4

Транзистор КТ 812 Б:
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4

Транзистор КТ 827 Б:
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Транзистор КТ 828 Б:
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2.5

Транзистор КТ 839 А:
Транзисторы КТ839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания.
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера (Ucb): 1500 V
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В)
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): более 5
Емкость коллекторного перехода (Сс) : не более 240 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером (Rсе нас) : не более 0,375 Ом

Транзистор КТ 839 А:
Кремниевый мезапланарный структуры n-p-n импульсный.
Предназначен для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания.
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера (Ucb): 1500 V
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): более 5
Емкость коллекторного перехода (Сс) : не более 240 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером (Rсе нас) : не более 0,375 Ом

Транзистор 1Т906А :
Германиевый диффузионно-сплавный структуры p-n-p переключательный.
Предназначен для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера (Ucb): 75 V
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: (Ueb): 1,4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА (1500В)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30-150
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (tк) : не более 5000 пс

Диодный столб Д1007:
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами.
Соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические характеристики диода Д1007:
- Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 8 кВ
- Inp max — Максимальный прямой ток: 75 мА
- fд — Рабочая частота диода: 1 кГц
- Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 10 В при Inp 100 мА
- Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 8 кВ