Обсяг, ГБ: 1000
Інтерфейс: SATA rev. 3.0
Тип флеш-пам'яті NAND: V-NAND 3bit MLC
Контролер: Samsung MKX
Підтримка TRIM: є
Форм-фактор: 2,5
Максимальна швидкість читання, МБ/с: 560
Максимальна швидкість запису, МБ/с: 530
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS: 98000
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS: 88000
DRAM-буфер: є
Ресурс запису (TBW), TB: 600
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин: 1,5