Характеристики и описание
Производитель
MPS
Тип биполярного транзистора
N-P-N
Тип монтажа
Ручной монтаж
2Т657А-2
Транзисторы 2Т657А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 2 ГГц в схеме с общим эмиттером в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются условным цветным кодом:
- 2Т657А-2 - красный знак,
- 2Т657Б-2 - красный знак и точка красного цвета,
- 2Т657В-2 - красный знак и точка желтого цвета.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.405ТУ.
Зарубежный аналог: AT00510, AT00535, AT00570, AT60535.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т657А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 375 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 ГГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (12В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не нормируется;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,05 Вт на частоте 2 ГГц