Наименование прибора: HY3215W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 349 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 135 nC

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 480 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO247