Транзистори П217В германієві сплавні структури pnp універсальні.
Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги.
Використовуються для роботи в радіотехнічних та електронних пристроях загального та спеціального призначення.
Випускаються у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками.
Маркуються цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 12,5 м, кріпильного фланця трохи більше 4,5 р.
Кліматичне виконання: «УХЛ».
Технічні умови:
- АА0.336.342ТУ;
- СІ3.365.017ТУ;
- СІ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубіжний аналог: ASZ1015, ASZ1016, ASZ1017, ASZ1018, ASZ18.
Основні технічні характеристики транзистора П217В:
• Структура транзистора: pnp
• Рк т max — Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 24 Вт;
• fh21е — гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц;
• Uкбо проб — Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 ​​В;
• Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А;
• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА;
• h21е — Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: понад 5;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більше 0,25 фланця Омкріплення не більше 4,5 г