Звільняю місце в своїх запасах комп'ютерного добра та пропоную вашій увазі модуль оперативної пам'яті SODIMM DDR3 Micron 2Gb 1RX8 PC3 10600S. Можливо, саме вони допоможуть вашому комп'ютеру стати спритнішим!

Для тих, хто розуміється(зовнішній вигляд додаю на фото):
Micron 2GB 1RX8 PC3-10600S-9-11-B1 (PRODUCT OF CHINA): 2 гігабайти оперативної пам'яті DDR3 SODIMM. Підійде для ноутбуків та інших різних сумісних пристроїв.

Для тих, хто просто хоче, щоб все працювало:
Якщо ваш ноутбук почав "гальмувати" або деякі програми запускаються дуже довго, можливо, йому просто не вистачає оперативної пам'яті. Ці модулі допоможуть вашому комп'ютеру працювати швидше та ефективніше.

Деякі деталі про модуль памʼяті:
Тип пам'яті: DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory) - це стандарт оперативної пам'яті, який забезпечує високу швидкість передачі даних порівняно з попередніми поколіннями.
Форм-фактор: SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) - це компактний форм-фактор, який використовується переважно в ноутбуках, нетбуках, міні-ПК та інших пристроях з обмеженим простором.
Об'єм пам'яті: 2 Гігабайти (2GB) - загальний об'єм пам'яті модуля.
Організація: 1RX8 - вказує на однорангову (Single Rank) організацію модуля. "1R" означає один ранг, а "X8" означає, що мікросхеми пам'яті на модулі мають 8-бітну ширину шини даних. Однорангові модулі зазвичай менш вимогливі до контролера пам'яті та можуть бути сумісні з більшою кількістю систем, особливо старших.
Стандарт PC3: PC3-10600S - це позначення стандарту модуля DDR3, яке вказує на його теоретичну пікову пропускну здатність.
PC3 означає DDR3.
10600 означає пікову пропускну здатність у мегабайтах за секунду (MB/s). Вона розраховується як (тактова частота шини пам'яті в МГц) x (ширина шини в бітах / 8) x (кількість передач за такт). Для DDR3-1333 МГц це буде (1333 МГц) x (64 біти / 8) = 10664 МБ/с, що округлюється до 10600.
S вказує на форм-фактор SODIMM.
Тактова частота: Модуль PC3-10600S працює на ефективній частоті 1333 МГц. Фізична тактова частота становить 667 МГц, але завдяки технології DDR (Double Data Rate) дані передаються двічі за один такт, що дає ефективну частоту 1333 МГц.
Таймінги: 9-11-B1 - це затримки (таймінги) CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD) та RAS Precharge Time (tRP).
9 - CAS Latency (CL9): кількість тактів між запитом даних і моментом їхньої доступності. Чим менше значення, тим швидший відгук пам'яті.
11 - RAS to CAS Delay (tRCD): кількість тактів між активацією рядка (RAS) та активацією стовпця (CAS) в банку пам'яті.
B1 - Ця частина може вказувати на певні характеристики виробничого процесу, ревізію чи інші внутрішні параметри виробника (Micron) і не є загальноприйнятим стандартом для опису основних характеристик пам'яті.
Виробник: Micron - відомий та надійний виробник мікросхем пам'яті та модулів.
Країна виробництва: PRODUCT OF CHINA - модуль зібраний у Китаї.