Цена за одну книгу. Выпуск 1 Васенков 1976, 328 с.В книге публикуются статьи отечественных авторов по следующим вопросам: общие проблемы и физические основы микроэлектроники, полупроводниковые интегральные микросхемы, интегральные гибридные и пленочные микросхемы, основы технологии интегральных схем, микросхемотехника, методы контроля и измерительная аппаратура, проектирование микроэлектронной аппаратуры и технология ее изготовления, оптоэлектроника, новые направления микроэлектроники, а также новые полупроводниковые приборы и особенности их применении в схемах, в частности инжекционно-полевые транзисторы, планарные и др.
Сборник предназначен для широкого круга специалистов, научных работников, занимающихся разработкой, изготовлением и применением микросхем и микроэлектронной аппаратуры.

Содержание
К. А. Валиев, Г. Г. Казеннов, В. Я. Кремлев, Г. И. Стороженко. Классификация и перспективы применения функционально-интегрированных элементов при разработке БИС
А. А. Васенков, Ю. В. Терехов. Структура и основные параметры «дерева целей» современных полупроводниковых запоминающих устройств
Ю. И. Щетинин, В. А. Митина. Проектирование и контроль интегральных полупроводниковых ПЗУ с произвольной таблицей истинности
Ю. И. Щетинин. О. Л. Крамаренко, В. А. Неклюдов. Монолитные ПЗУ 155РЕ1 емкостью 256 бит со схемами управления
А. И. Мальцев, В. В. Поспелов. Запоминающие устройства на основе МНОП структур
Ю.Ф. Адамов. Ю. П. Родионов, Л Ю. Шишина. Особенности проектирования квазистатических ЗУ с произвольной выборкой конденсаторного типа на МДП-структурах
А. И. Березенко, О. И. Тищенко. Машинный анализ возможности получения контрольных и диагностических тестов логических неисправностей полупроводникового ОЗУ
Ю.И. Герасимов, А. Н. Кармазинский, С. Н. Юрков. Особенности расчета пятитранзисторной ячейки памяти на дополняющих МДП-транзисторах
В. В. Баринов. В. Я. Контарев, В. И. Мошкин, А. А. Орликовский. Логические и запоминающие интегральные схемы с инжекционным питанием
Е. М. Онищенко. Схемотехника периферийных цепей БИС памяти на биполярных транзисторах
А. А. Орликовский. Н. А. Подопригора. Анализ статических режимов биполярных накопителей в ИС памяти
А. С. Березин, В. И. Кимарский, Ю. И. Кузовлев. Е. М. Онищенко, А. С. Федонин. Использование элементов памяти с инжекционным питанием в субсисемах малой емкости
А. С. Березин, В. И. Кимарский, Е. М. Онищенко, В. Н. Шендерович. Исследование запоминающих элементов на основе р-п-р-п-структур с помощью ЭВМ
В. А. Березкин, Ю. М. Полубояринов, В. В. Ракитин. Биполярный динамический элемент памяти для ЗУ большой емкости
Б. В. Тарабрин, А. С. Назаров, К. А. Кейджян А. В. Фомин, А. Н. Енгалычев. .Метод определения оптимальной номенклатуры выходных электрических параметров ИС
А.Ф.Трутко, Я. А. Федотов, Ю. А. Каменецкий Д. И. Сметанина. Интегральная электроника сверхвысоких частот
Ю. А. Каменецкий, А. М. Косогов, Д. И. Сметанина, М. А. Пашкевич. Интегральный микрополосковый фазовращатель S-диапазона
А Б. Полянов, О. В. Чкалова. Полевые транзисторы с барьером Шоттки на арсениде галлия
В. В. Вейц, В. М. Вальд-Перлов, Б. И. Карташев, Ю. В. Фомин. Лавинно-пролетный диод из арсенида галлия с барьером Шоттки Х-диапазона
Е. 3. Мазель. Мощные высокочастотные транзисторы для линейных широкополосных усилителей
В. Т. Кленов, Ю. А. Кузнецов, В. Д Манагаров, Я. А. Федотов. Передающие телевизионные трубки с кремниевыми мишенями - кремниконы и суперкремниконы
В. Н. Данилин, А. А. Морозов, А. Ф. Трутко, А. Л. Филатов. Малошумящие тонкопленочные гибридные усилители ВЧ и СВЧ диапазона длин волн
В. В. Бачурин, В. С. Либермай, О. В. Сопов. Новый класс полупроводниковых приборов-мощные высокочастотные МДП-транзисторы
Н. 3. Шварц. Система нестандартных S-параметров Э. Р Караханян. О канонической форме записи выражений, описывающих вольт-амперные характеристики МДП- транзистора
Ю. Н. Миргородский, А. А. Руденко. Алгоритм численного решения нелинейного уравнения Пауссона в двумерной полупроводниковой структуре
Выпуск 3 Васенкова, Я. А. Федотова 1978 228с. В настоящем выпуске представлены статьи отечественных авторов по следующим вопросам: проектирование, разработка, применение и перспективы развития приборов с зарядовой связью (ПЗС); разработка математических моделей, пригодных для машинного проектирования БИС; разработка, перспективы развития и параметры полупроводниковых ЗУ, мощных высоковольтных транзисторов, приборов для тепловой печати; исследование ряда дискретных приборов (биполярных и МОП-транзисторов, диодов Ганна и варакторов) и интегральных схем; устойчивость интегральных схем. Материалы по ПЗС отражают основное содержание докладов, сделанных авторами на I Всесоюзной конференции: «Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью». Статьи по ожеспектроскопии знакомят с новым перспективным методом исследования полупроводников и металлов.
Сборник предназначен для широкого круга специалистов, занимающихся разработкой, изготовлением и исследованием изделий электронной техники, микроэлектронной аппаратуры, применением полупроводниковых приборов и микросхем.

Содержание
Ф. П. Пресс, А. В. Вето. Состояние и перспективы развития приборов с зарядовой связью
М. А. Тришенков. Сравнительный анализ одноэлементных, матричных и мозаичных фотоприемников при приеме оптических сигналов точечных источников
Е. В. Авдеев, Ю. Н. Миргородский, В. И. Потапова, Л. Л. Руденко. Моделирование на ЭВМ характеристик ячейки трехтактного ПЗС с поверхностным переносом заряда
С. А. Левин, Ф. П. Пресс, Б. М Хотя нов, В. А. Шилин. Математическая модель ПЗС для машинного расчета интегральных схем
А. В. Вето, Ф. П. Пресс, Д. И. Рубинштейн, Б. М. Хотянов. В. А. Шилян. Анализ и оптимизация выходных схем ПЗС
А.С. Жеребцов, А. В. Зеленцов, Е. С. Любимов. Использование ионного легирования при изготовлении интегральных схем на основе приборов с зарядовой связью
В.И. Золотарев, В. М. Красовский, А. А. Лавренев, В. В. Ракитин, А. Г. Сафонов. Полупостоянные запоминающие устройства на ПЗС с МНОП-конденсаторами
Р. В. Смирнов. Проблемы и перспективы разработки запоминающих устройств на БИС
П. В. Демиденко, В. В. Палиенко, Д. С. Сержанович. Некоторые схемотехнические решения при проектировании БИС
Л. Н. Афонин, Е. 3. Мазель. Мощные высоковольтные транзисторы
В. Н. Кулешов, Б. Е. Лешуков, И. П. Бережняк А. В. Лучинин. Экспериментальное исследование характеристик шумов транзисторов КТ904А, КТ907А
Э. Р. Караханян. Электрические характеристики МДП транзистора, работающего в режиме плавающего потенциала на затворе
Р. С. Нахмансон и Я. О. Ройзин. Шумы в МОП-структурах, связанных с токами утечки
П. Т. Евсеенков. В. В. Мартынкин. Применение транзисторов КТ912А, Б в линейном широкополосном двухтактном каскаде усилителя мощности
Ю. В. 3авражнов. Г. Е. Кущев. Эквивалентный выход ной импеданс линейного транзисторного усилителя мощности
В. С. Беляков. Мощный толстопленочный гибридный усилитель постоянного тока
В. А. Горохов, В. С. Рыбаков, М. Б. Щедрин. Схемотехника распределителей-коммутаторов на основе цепочек инжекционных элементов с внутренней памятью
П. И. Овсищер, И. М. Лазер. В. Л. Шубарев. И. И. Лившиц, Ю. С. Крылов. Устойчивость микроэлектронных цифровых устройств к действию внутренних помех
В. И. Котиков, В. И. Морозов. Экспериментальное исследование импедансных характеристик активных структур диодов Ганна в режиме большого сигнала
А. С. Берлин. Метод измерения распределения примеси в приповерхностном слое полупроводниковой структуры варактора
Ю. В. Московский, Ю. В. Поликанов. Микроэлектронные приборы для тепловой печати
В. А. Скорик. В. И. Стафеев. Г. И. Фурсин. Исследование нейристоров на основе п-р-i-р-структур
Д. Г. Емельяненков, В. И. 3апорожченко, В. В. Канцель. Электронная ожеспектроскопия как метод исследования поверхности полупроводников и металлов