HY4008P MOSFET - описание производителя.
Наименование прибора: HY4008P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 345 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 197 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO220.