Всем доброго времени суток , предлагаю Фоторезист ФН-11с, сохраняли в сухом тёмном месте , не вскрывался , в наличии
В процессах фотолитографию применяемых при создании масок, интегральных микросхем, печатных микроплат и подобных изделий используют негативный Фоторезист ФН-11С. Реагент характеризуется высокой светочувствительностью и устойчивостью к химически-активным веществам.



Преимущества Фоторезиста ФН-11С


По своему существу Фоторезист ФН-11С является раствором полимера и светочувствительного вещества в растворителе органического происхождения. Преимущества Фоторезиста ФН-11С:

обеспечивает разрешение 0,35 - 0,5 микрон;
характеризуются простым образованием пленки;
не чувствительны к перепроявлению.