Приватна особа
Опис
FDP18N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.265 Ohm
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.265 Ohm
ID: 846353757
Зв’язатися з продавцем
xxx xxx xxx
Опубліковано 12 травня 2024 р.
б/у 18N50 mosfet нові
26 грн.
Місцезнаходження