Ціна вказана за MOSFET транзистор CS300N04

При замовленні з ОЛХ доставкою до 3 шт включно +20 грн.
При замовленні 4+ шт без додаткової комісії.

В наявності є:
IGBT транзистор 50T65FD1 (фото 3,4): 80 грн/шт (залишок: 1 шт );
MOSFET транзистор IRF1404 (фото 7): 40 грн/шт (залишок 7 шт);
MOSFET транзистор CS300N04 (фото 8): 60 грн/шт (залишок 50 шт).

Параметри:

Польовий транзистор 50T65FD1.
IGBT-транзистор.
Транзистор для ремонту інвертора.
Максимальний струм: 50 А;
Максимальн анапруга: 650 В;
Максимальна потужність: 375 Вт.

Транзистор YGW60N65F1
N-канальний IGBT транзистор 650V 60A
Найменування: YGW60N65F1
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність: 260 Вт;
Гранично-допустима напруга колектор-емітер: 650 В;
Напруга насичення колектор-емітер: 1.85 В;
Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 В;
Максимальний постійний струм колектора: 120 А;
Максимальна температура переходу: 150 С;
Час наростання: 79
Ємність колектора: 130 пФ;
Тип корпусу: TO247.

IGBT Транзистор 60N60FD1 SGT60N60FD1PN 600V 60A.
(Аналог: K60B60D1, AOK60B60D1, FGH60N60UFD, FGH60N60SMD, IRGP50B)
Технічні параметри :
Позначення типу: SGT60N60FD1P7
Тип: IGBT + антипаралельний діод;
Код маркування: 60N60FD1;
Тип каналу IGBT: N;
Максимальна розсіювана потужність : 321 Вт;
Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В;
Максимальна напруга затвор-емітер: 20 В;
Максимальний струм колектора: 120 A при 25 С;
Напруга насичення колектор-емітер: 2,2 В при 25 С;
Максимальна порогова напруга G-E: 6,5 В;
Максимальна температура з'єднання: 150 С;
Час наростання: 142 нс;
Вихідна ємність: 294 пФ;
Загальний заряд затвора: 179 нКл;
Корпус: TO247

MOSFET транзистор IRF1404
Модель: IRF1404
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється: 333 Вт:
Гранично допустима напруга колектор-емітер: 40 В;
Гранично допустима напруга база-емітер: 20 В;
Порогова напруга включення: 4 В;
Максимально допустимий постійний струм колектора: 202 А;
Максимальна температура каналу: 175 С;
Загальний заряд бази: 131 нКл;
Час зростання: 190 нс;
Вихідна ємність: 1659 пФ;
Опір емітер-колектор відкритого транзистора: 0.004 Ом;
Тип корпусу: TO220AB.
Транзистор 1404 IRF1404PBF TO220 MOSFET MOSFT FETs 40V 202A TO-220

MOSFET транзистор CS300N04
Напруга стік-витік: до 40 В;
Постійний струм стоку: 300 А при 25 С;
Імпульсний струм стоку: 1200 А;
Напруга затвор-джерело: +-20 В;
Енергія аваланч-пробою: 800 мДж;
Розсіювана потужність: 271.7 Вт;
Температура переходу / зберігання: -55 - 150 C;
Опір у відкритому стані; 1.6 мОм;
Порогова напруга затвора: 2.2 В;
Опір затвора: 1.7 Ом.