Транзистор лавинный ГТ338Б

Первый советский специальный лавинный
германиевый диффузионно-сплавной
меза-эпитаксиальный транзистор.
Структура - p-n-p
Предназначен для применения в быстродействующих
импульсных схемах (см. ниже).
Напряжение лавинного пробоя - 13 В
Время нарастания импульса - 1нс
Uкэr max - 20 В
Ток коллектора в лавинном режиме - 1 А
Pmax - 100 мВт
Тп - 85°С
Т max - -60 ÷ +55°С
Дата выпуска - 0378;0478;0578
Разработка - НИИ «Пульсар»,Москва
Производство - "Квазар", Киев
Цена - 410 (10usd) грн/шт. , (без OLX-Доставки)

Примечание.
1.Согласно легенде разрабатывался для работы
в генераторах стробирующих импульсов скоростных
стробоскопических осциллографов (хотя на практике
чаще применялся транзистор 2Т312),
и "другого" ... применения в серьёзной аппаратуре.
2.Применение лавинных транзисторов:
- релаксационный генератор;
- генератор серий коротких импульсов;
- амплитудный дискриминатор;
- быстродействующие логические элементы;
- генераторы ступенчатого и пилообразного
напряжения.
3."Другие" применения лавинных транзисторов:
- сверхскоростные схемы измерительной техники;
- ядерная электроника;
- сильноточные источники коротких импульсов накачки
лазерных диодов и светоизлучающих решеток;
- подмодуляторы для возбуждения модуляторов
лазерного излучения;
- лазерные и видеоимпульсные локаторы;
- геолокаторы для зондирования непрозрачных слоев
Земли и объектов в ее недрах (от поиска мин и
закопанных предметов до анализа слоев Земли
для разведки полезных ископаемых);
- эхо-импульсные ультразвуковые толщиномеры
и локаторы (сонары);
- устройства подрыва снарядов и ракет, когда
время работы прибора ограничено, а кроме
того необходимо иметь большую амплитуду
импульсов;
- запуск от лавинных транзисторов сверхскоростных
активных приборов (крайтронов) детонаторов блоков б/головок;
3,Цена прибора на основе цен на международных торговых площадках в разделах
"Soviet military transistor" (до 40 usd/шт.).
Ограничения.
1.Транзисторы ГТ338 чувствительны к токовым перегрузкам.
2.Необходимо следить за тем, чтобы средняя мощность
на транзисторе не превышала предельно допустимую.