Продам транзисторы КТ827Б,Новые,не б/у,цена за штуку,в наличии 10 шт
Характеристики и описание
Основные
Тип транзистора
Биполярный
Тип биполярного транзистора
N-P-N
Материал корпуса
Металлостекло
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер
80 В
Максимально допустимый ток коллектора
30 А
Максимальная мощность рассеивания
125 Вт
Тип монтажа
Ручной монтаж
Пользовательские характеристики
Производитель
ЗАО Кремний Маркетинг г. Брянск
Исполнение
Дискретное
NPN
POWER TRANSISTOR
Техническое описание
скачать PDF в спецификации
КТ827Б транзистор кремниевый NPN (30А 80В) 125W (ТО-3)

КТ827Б
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы КТ827А, КТ827Б, КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 .
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.356 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ827Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом