Транзистор IGBT Toshiba GT60N321 1000V 60A 170W Оригінал (демонтаж)

Підходить для інверторов мікроволновых печей.

  Найменування: GT60N321

   Тип транзизора: IGBT + Diode

   Тип керівного каналу: N

   Pc - Максимальна розсіювана потужність: 170 W

   |Vce| - Гранично-допустима напруга колектор-емітер: 1000 V

   |Vge| - Максимально допустима напруга іміттер-закрива: 25 V

   |Ic| - Максимальний постійний струм колектора: 60 A 25°C

   |VCEsat| - Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.6 V 25 °C

   Tj - Максимальна температура переходу: 150 °C

   tr - Час наростання типова: 230 nS

   Тип корпусу: TO3P

Відправлю ОЛХ доставкою.