Тестер радиоэлементов с графическим дисплеем
Измеритель ESR + LCR метр + тестер полупроводников.
Тестер автоматически определяет транзисторы, диоды,
тиристоры, резисторы и конденсаторы,
определяет номера и типы выводов.

Диапазоны измерений:
сопротивление: 0,5 Ω - 50M Ω
индуктивность: 0.01MH - 10H
ёмкость конденсатора: 30 пФ - 20000uF
рабочее напряжение: крона 9В или DC 5.5 - 12В

-Жидкокристаллический дисплей 128х64 с зеленой подсветкой.
-Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов
(резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод,
биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET,
JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
-Измерение сопротивления, емкости, индуктивности,
прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах,
емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах,
обнаружение защитных диодов в транзисторах.
-Поставляется без корпуса (КІТ).
-Питание 9V от батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).

* Обязательно разряжайте конденсаторы до тестирования!

Технические характеристики тестера

1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки.
Автоматическое выключение после теста.
2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
4. Диапазон измерения емкости составляет от 25рF до 100mF и точностью 1%.
5. Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.
6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов ,
N -канальных и Р- канальных MOS FET,
JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности,
однонаправленных и двунаправленных тиристоров.
7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.
8. Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и порогового напряжения база – эмиттер.
9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.
10. Идентификация транзисторов Дарлингтона.
11. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET транзисторах.
12. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
13. Измерение двойных резисторов (потенциометров) с отображение на дисплее символов резистора.
14. Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение каждого перехода.
15. Определение комбинированных светодиодов.
16. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением не более 4.5V.