Цена 50 грн
Наименование прибора: CS100N03B4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 68 nC
Время нарастания (tr): 65 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm
Тип корпуса: TO-252

Цена 50 грн
Наименование прибора: HY1908P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd- Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg - Общий заряд затвора: 86 nC
tr - Время нарастания: 42 ns
Coss - Выходная емкость: 389 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220