Ремонт инверторов Форт 900, Форт 600

NCP1230P65 DIP-7 - 55 грн
Power Management Chip, нові, оригинальні, перевірені на якість мною при ремонтах в блоках живлення MEAN WELL та інших БП

Транзистор MOSFET FHA20N50 (OSH20N50C) - 80 грн
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
Пороговое напряжение включения: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Максимальная температура канала: 150 С
Общий заряд затвора: 50 nC
Время нарастания: 120 ns
Выходная емкость: 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Нові, перевірені на якість мною при ремонтах, також є дані з тестера для транзисторів...

Транзистор Mosfet FHA40N50 - 125 грн
FQA40N50 , 40N50
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
Пороговое напряжение включения: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Максимальная температура канала: 150 С
Общий заряд затвора: 155 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO264
оригінал.

Транзистор Mosfet IRFP460 - 110 грн.
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность Pd: 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток Uds: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток Ugs: 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs th: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id: 20 A
Максимальная температура канала Tj: 150 С
Общий заряд затвора Qg: 100 nC
Время нарастания tr: 15 ns
Выходная емкость Cd: 500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора Rds: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO247

G80N60 новый (G80N60UFD, TO-3P) - 100 грн
Наименование: SGH80N60UFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A 25 С
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V 25 С
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Максимальная температура перехода: 150 С
Время нарастания типовое: 50 nS
Выходная емкость, типовая: 350 pF
Общий заряд затвора, typ: 175 nC
Тип корпуса: TO3P

IRFPE30 - 80 грн.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
Пороговое напряжение включения: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Максимальная температура канала: 150 С
Общий заряд затвора: 78 max nC
Время нарастания: 33 ns
Выходная емкость: 310 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO247

IRF3205 MOSFET 25 грн
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
Пороговое напряжение включения: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Максимальная температура канала: 175
Общий заряд затвора: 146 max nC
Время нарастания: 101 ns
Выходная емкость: 781 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220AB

NCE4688
Полярность N and P-Channel
Enhancement Mode Power MOSFET 60V 6,3 A -60V -5A для сварочника. 12 грн.

Микросхема TOP242YN TO-220-6 состояние новое. 55 грн
Проверенная партия.
Регулятор для AC-DC - Топология: Buck, Boost, Flyback, Forward: Uпробоя: 700 В: Pном: 65 Вт: F перекл: 132 кГц: Скважность: 83 %: I потр: 1.6 мА

H20R1203. - 85 грн
Тип: IGBT транзистор
Транзистор H20R1203 N канальный 40A 1200V TO247 – используют в микроволновых печах, резонансных преобразователях, индукционных плитах и других устройствах.
Характеристики:
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 С, 40 А
Импульсный ток коллектора 60 А
Напряжение насыщения при номинальном токе 1,7 В
Максимальная рассеиваемая мощность 310 Вт
Время задержки выключения при 25 С, 387 нс
Рабочая температура -40 ... +175 С
Минимальный статический коэффициент передачи тока h21е 30

MKP-X2 - 100 грн
5 мкФ - 275 - В, 400 В ~ 5% черный
Конденсатор для Индукционной плиты

STW12NK90Z - 85 грн.
Тип: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
Пороговое напряжение включения: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Максимальная температура канала: 150 С
Общий заряд затвора: 113 nC
Время нарастания: 20 ns
Выходная емкость: 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.88 Ohm
Тип корпуса: TO247

IRG7SC28U - 60 грн
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 171 W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A 25 С
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V 25 С
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.7 V
Максимальная температура перехода: 150 С
Время нарастания типовое: 35 nS
Выходная емкость, типовая: 75 pF
Общий заряд затвора, typ: 70 nC
Тип корпуса: D2PAK

IRG7S313U - 70 грн
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A 25 С
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.21 V 25 С
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.7 V
Максимальная температура перехода: 150 С
Время нарастания типовое: 13 nS
Выходная емкость, типовая: 47 pF
Общий заряд затвора, typ: 33 nC
Тип корпуса: D2PAK

Якщо Вам щось потрібно, то телефонуйте. Уточнення по ціні, та відправці.