Наименование прибора: FSW25N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 117 ns

Выходная емкость (Cd): 410 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO3PN